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此时中国科技界百废待兴，他敏锐选择前沿的等离子体物理方向，避免了在传统学科中的内卷，为后续切入半导体这一新兴领域埋下伏笔。
20世纪70-80年代，全球半导体产业正从分立器件向集成电路转型，等离子体技术逐渐成为芯片制造的核心工艺，其研究方向与产业趋势高度契合。
吴汉明的等离子体研究虽未直接服务于芯片制造，却在国家日后发展半导体时，成为稀缺的“跨学科人才”——既能理解物理原理，又具备工程转化潜力。
这种“超前储备”使其在90年代后半导体产业崛起时，迅速成为关键技术攻关的领军者。
吴汉明的海外博士后研究，让他接触到国际前沿技术
在美国得州大学奥斯汀分校和伯克利分校的研究经历，让他接触到全球顶尖的等离子体物理实验室。
他了解到国际学术界在半导体相关领域的最新成果（如新型刻蚀技术、薄膜沉积机理）。
这种学术交流使其研究始终站在技术前沿，避免闭门造车。
吴汉明求学的数理基础→等离子体物理→半导体工艺的知识链条，使他能以“系统思维”看待芯片制造难题。
例如，在解决刻蚀均匀性问题时，他既能从等离子体密度分布的物理模型出发分析，也能结合设备工程参数进行优化。